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昆士兰大学澳大利亚生物工程与纳米技术研究所(AIBN)和化学与分子生物科学学院(SCMB)的DebraBernhardt教授说，年3能力潜在的应用包括电信、年3能力自动接入系统和医疗设备。然而，上应商形成高度规则的二维(2D)碳氮化合物晶体结构是困难的，这使得大多数合成的碳氮化合物薄膜不适合纳米电子应用。
输变设备c,双层C3N的结合能(黑色方块)和带隙(红色圆圈)与扭曲角的关系。例如，备信基于半导体碳纳米管的场效应晶体管(FET)已经得到了广泛的探索，因为这种材料具有中等大小的带隙。息化b,扭曲角为θ的C3N双分子层的原理图。
石墨烯等碳材料由于具有高机械强度、资质电导率和导热性等特性，在电子器件的开发中具有潜在用途。最近，核实晶体C3N被制造出来，并显示出出色的机械和电子性能通过层间范德华(vdW)耦合来设计二维半导体的光学和传输特性是二维电子学发展的关键。
图2.AA,AA，电网电设等供AB,AB堆垛C3N双层的能带结构和部分电荷分布。
计算和实验表明，年3能力AA和AB堆垛的双层比分离的单层和AA和AB堆垛的双层在能量上更有利。上应商三所高校自建国以来就是材料科学与工程人才重要培养基地（尤其是金属材料方面）。
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息化武汉理工大学从2012年第五涨到今年并列第一。名次下降非常明显的有三所，资质分别是东北大学、中南大学、北京科技大学。
